微型红光MicroLED

InGaN的多孔化为更亮的红色microLED奠定了基础。

加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）的研究人员首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基红色microLED。他们的工作包括测量晶圆上外量子效率（EQE），该值为0.2%。

该团队对micro LED的微型化有助于开发基于这些器件以及绿色和蓝色表亲的显示器。与现有技术相比，由大量微型LED形成的屏幕有望提供更大的对比度，更高的亮度和更快的响应时间。

在UCSB报告之前，Soitec率先缩小了基于InGaN的红色microLED，并在2020年推出尺寸为50微米的器件。UCSB团队发言人Shubhra Pasayat指出，Soitec没有给出EQE。

Pasayat认为，UCSB团队设定的新基准是一个重要的里程碑。"为了实现可行的商业化，10微米以下的microLED是非常必要的。"

Pasayat认为，除了这种小尺寸，microLED还需要具有至少2％至5％的EQE才能在显示器中使用。UCSB团队距离这一目标还差得很远，工作也处于起步阶段，但是预期会有实质性的改进。

西海岸团队正在寻求基于InGaN的红色microLED，而不是那些由AlGaInP和相关合金制成的microLED，因为后者所在的材料系列容易受到与尺寸相关的效率降低，这与高表面复合速度和较长的载流子扩散长度有关。除了这个只能通过侧壁钝化部分解决的问题外，由于AlGInP型microLED的载流子在较小的势垒高度上泄漏，因此随着温度升高，效率会下降。到目前为止，该类器件的最佳结果是20微米的尺寸。没有给出EQE。

UCSB的成功取决于多孔GaN伪衬底上器件的生长。这种基础具有顺应性，可减少在基于InGaN的器件中发出红光的富铟有源区中的应变。

Micro LED的制造始于通过在MOCVD腔室中加载蓝宝石衬底，并沉积2微米厚的无掺杂的GaN层，然后是800纳米厚的硅掺杂GaN层和100纳米厚的无掺杂盖帽层。在蚀刻800纳米厚的GaN层之前，干法蚀刻给出了11微米 x 11微米的图案。

由此产生的多孔GaN伪衬底为LED结构提供了一个复合基础，该结构具有三周期量子阱3纳米厚In_0.26Ga_0.74N/11 纳米厚的GaN+1.5 纳米厚的Al_0.45Ga_0.55N。电子束蒸发在p型层上沉积110 纳米厚的ITO欧姆触点形成的，然后RIE给出6 μm x 6 μm的有源区，Al₂O₃钝化，然后制备金属触点。

在5 A cm ^-2驱动器件时，测量显示在646 纳米处有一个峰值。与相同工艺的在蓝宝石衬底上器件进行对照，在相同的电流密度下，发光峰值在590 纳米处。Pasayat及其同事将发射波长的显着差异归因于在多孔GaN伪基底上生长的量子阱中更有效地加入铟。

在10 A cm^-2的驱动下，MicroLED的EQE峰值为0.202%。封装应将这个数字提高到0.6%以上。将电流提高到100 A cm^-2，光输出达到76 nW，相当于2.1 W mm^-2，这个输出功率密度刚刚超过了最好的AlGaInP MicroLED，后者的尺寸为20微米。

团队的下一个目标是提高器件的EQE。“我们计划改善材料质量以及制备工艺” Pasayat说。

上图：UCSB的团队已经生产出了黄色和红色的InGaN LED。图像是在5 A cm ^-2的驱动电流下拍摄的。

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