本期内容
2023年6/7 月刊
封面故事 Cover Story
制造可商业化的金刚石衬底
Creating commercially viable diamond substrates
编者话 Editorial
在半导体行业周期的迷雾中笃定行走
Walk firmly in the fog of the semiconductor industry cycle
业界动态 Industry
IQE 宣布推出用于微型LED 的200mm RGB 外延器件
IQE announces 200mm RGB epitaxy for MicroLEDs
芯粤能车规级
芯片产线进入量产阶段
Ascen Power cargo-grade silicon carbide chip production line entered the mass production
Transphorm 推出首款 1200V 蓝宝石基氮化镓
Transphorm reveals first 1200V GaN-on-sapphire model
三安光电拟与意法半导体在重庆合资设厂生产
晶圆
SAN'an Optoelectronics plans to set up a joint venture with ST in Chongqing to produce silicon carbide power devices
SEMI 报告:
2023 年第一季度全球半导体设备出货金额比去年同期增长9%
SEMI reports that global semiconductor equipment shipments in the first quarter of 2023 increased by 9% over the same period last year
三菱与Coherent 签署SiC 协议
Mitsubishi and Coherent sign SiC agreement
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
紫外线照射暴露了SiC和SiO2界面的缺陷退火AlN模板有助于远紫 外线LED的发展
UV irradiation exposes flaws at the interfaces of SiC and SiO2
3C-SiC 增强了GaN HEMT的性能
3C-SiC enhances the GaN HEMT
用转印技术推进量子光子学的发展
Advancing quantum photonics with transfer printing
技术 Technology
用X射线形貌技术检查SiC
Scrutinising SiC with X-ray topography
低功耗
MOSFET的发展
Development of low power Silicon Carbide MOSFET
控制SiC MOSFET阈值电压的不稳定性
Controlling threshold voltage instabilities in SiC MOSFETs
反向极化为绿光LED注入活力
Reverse polarization invigorates the green LED
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
硅基化合物异质集成技术
Si-based compound hetero-integration technology
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粤公网安备 44030402004706号
得益于用于制造2英寸衬底的异质外延生长工艺的开发，金刚石将服务于更多的高端应用金刚石单晶是终极半导体材料。它结合了出色的结晶度、极高的击穿电压、出色的电学性 能和极高的导热系数。一旦这种碳的同素异形体投入实际使用，它将使器件远远优于那些采用现有材料制造的器件，为电压、输出功率和效率设定更高的基准。此外，由于金刚石 特有的氮空位中心，这种材料在制造传感器方面有着巨大的前景。