本期内容
2022年12/2023年1月刊
封面故事 Cover Story
用复合晶体管开辟新天地
Breaking new ground with the hybrid transistor
国家先进工业科学技术研究所，Akira NAKJIMA
编者话 Editorial
超宽禁带半导体之AlN
AlN of Ultra Wide Bandgap Semiconductors
Wolfspeed专栏 Wolfspeed Column
优化汽车应用的驾驶循环仿真
Optimizing Drive-Cycle Simulations for Automotive Applications
业界动态 Industry
应科院成立「微电子技术联盟」 构建微电子与半导体生态系统
NAstri established the Microelectronics Technology Alliance to build the microelectronics and semiconductor ecosystem
安森美提高SiC产量
Onsemi ramps SiC production
晶湛半导体完成数亿元C轮融资
Enkris Semiconductor completed C round financing of hundreds of millions RMB
意法半导体与Soitec合作开发
衬底制造技术
STMicroelectronics and Soitec cooperate on SiC substrate manufacturing technology
英国命令安世半导体剥离纽波特晶圆厂
UK orders Nexperia to divest Newport Wafer Fab
SEMI报告:
2022年第三季度全球半导体设备出货金额增长9%
SEMI reports: Global semiconductor equipment shipments grew 9% in Q3 2022
将服务客车和卡车
SiC to service buses and trucks
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
技术 Technology
通过衬底驱动应变调控为高性能UVB-LED的制备铺平道路
Paving the Way for High-Performance UVB-LEDs Through Substrate-Dominated Strain-Modulation
促进航空电子系统设计演进
Silicon carbide facilitates the evolution of avionics system design
氧化镓晶体生长方法的选择
Weighing up the options for gallium oxide crystal growth
将microLED与先进CMOS集成
Integrating microLEDs with advanced CMOS
科技前沿 Research Review
HVPE为高质量AlGaN生长提供了一条新途径
HVPE offers a new route to high-quality AlGaN
SiN降低了高速HEMT的电阻
SiN trims the resistance of high-speed HEMTs
剥离AlGaN薄膜
Exfoliating AlGaN films
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
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粤公网安备 44030402004706号
转向低碳社会还需要增加电动汽车的使用量，同时安装更多的风力涡轮机和太阳能发电 场。对于所有这些绿色技术，我们需要比现有技术更小、更高效、更可靠的电力转换器。 要实现这一点，必须在变流器中使用的功率晶体管方面进行进一步的技术创新。独特的集 成制造工艺创造了复合晶体管，将氮化镓HEMT的低导通电阻与SiC二极管的非破坏性击穿 结合起来。我们的复合HEMT突出了复合器件如何能够提供单一材料所无法提供的优良性 能。相信仍有许多组合可供探索，为新的器件概念打开了大门。我们的目标是调研究这种 方法可能带来的可能性，以及它如何释放新一代功率器件极限。