将光用于无线通信是个好生意。频带宽度比移动设备所使用的标准无线电频段宽千倍以 上，而且没有限制。但上述优点还不足以称为一项技术。更好的未来是看到基于光的无 线通信与在无线电波和毫米波范围内运行的现有技术融合，从而产生一个协同方案，从 而推动新通信时代的到来。

第三代半导体其实在光电领域，具体讲在半导体照明及显示领域早已取得 了辉煌的成就，这其中包括缔造了2014 年的诺贝尔物理学奖，以及每年实现 数千亿美元的产值。当然现今我们提到第三代半导体主要指微电子或功率应用 领域，包括电力电子和微波射频。2001 年英飞凌推出的SiC 肖特基势垒二极 管，这是第一款上市的宽禁带电力电子产品，开启了 电力电子产业的开 始。2010 年 MOSFET 开始批量生产，加速了 电力电子产业的发 展。硅基氮化镓功率应用相对滞后些，2012 年Transphorm 推出业内首个符合 JEDEC 标准的600V GaN FET，氮化镓电力电子器件增强了市场的信任。

SiC IGBT 的电流比SiC MOSFET 高，但需要 与结势垒二极管配对，它是否会在中压应用中 得到重要部署？

投影仪得益于发光技术，它将强大的蓝色和红色LED 与基于荧光激发的绿色光源结 合在一起。

转向宽带隙技术需要的不仅仅是零件数量的改变。需要一种同时考虑设计的各个方 面的系统方法

通过定量阴极射线荧光技术进行无损检测，详查氮化镓HEMT 的穿透位错， 组分和掺杂，有助于氮化镓 HEMT 的开发和生产。

VCSEL 技术最初是在通讯设备和模块领域得以成熟应用，近几年由于在手机人脸识别的海量需求而 成为消费类电子元器件产品，接下来也预期将在汽车电子领域及其它3D 感测市场得到广泛应用。业 者关心在这一巨大市场需求趋势下，中国作为全球应用市场的领导者能否因此带动本土全产业链取得 相应的巨大进步，包括VCSEL 激光器芯片的设计、制造工艺和材料及相应的制造设备等等，在各个 产业链重要环节有哪些重要技术难点需要攻关？就此，我们采访了几位业内专家。