目前市场和实验室研究开发的UV LED 的致命弱点是它的电光转换效率较低。与采用 InGaN 量子阱的蓝光 LED 相比，UV LED 的性能低得可怜。通过改进材料晶体质量，设 计和外延新型有源区量子阱结构，并在传统 LED 器件结构中单片集成光电倍增转换器， 将波长为 280nm的半导体深紫外LED（DUV LED）电光转换效率提升至 20% 以上。

过去几年里，受军事应用和电信基础设施发展的推动，GaN RF 市场持续增长。 根据市场研究和战略咨询公司Yole 的 GaN RF 技术和市场年度报告，到2025 年， GaN RF 市场总额将从2019 年的7.4 亿美元增长到20 多亿美元，复合年增长率 为12%。

中国电子科技集团公司（山西） 材料产业基地是 目前中国最大生产规模的 生产基地。近年来， 我国在 晶片领域奋力追赶，从基本原理研究和基础实 验做起，逐渐掌握了 晶片技术，从实验室走向产业化。 2018 年，中电科二所历经11 年艰苦攻关，在国内率先完成 4 英寸高纯半绝缘 单晶衬底材料的工程化和6 英寸高 纯半绝缘 单晶衬底的研发，突破国外对我国 晶 体生长技术的长期封锁。

近日，TCL 华星与三安半导体在深圳正式签约，宣布共 同投资成立具有独立法人资格的联合实验室。注册资 本人民币3 亿元，TCL 华星出资占注册资本的55%，三安 半导体出资占注册资本的45%。

SweGaN 公司与查尔默斯理工大学（Chalmers University of Technology）联合研究高频HEMT，有望为电信、航 天和军事市场带来商业利益。

未来，ROHM将会不断壮大SiC 功率元器件的产品阵容， 并结合充分发挥元器件性能的控制IC 等外围元器件和模块 化技术优势，继续为下一代汽车技术创新贡献力量。另外， ROHM 还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助 于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案，帮 助客户解决问题。

2020 年6 月12 日，乾照光电在厦门翔安区举行了项目开 工奠基仪式，宣布公司近16 亿元的VCSEL、高端LED 芯片等半导体研发生产项目正式开工。

这些面部识别系统的核心是一种被称为 VCSEL（ 垂直腔面发射激光器） 的激光器。 VCSEL 实现了图像的结构化光深度传感分析。不 仅如此，VCSEL 的特性也使其成为其他形式 3D 传感颇为青睐的一种选择，比如它在汽车市场用 来提供飞行时间传感，在 LiDAR 领域中应用于自 动驾驶。

对于首个第四代的移动通信技术，传输频率 的变化是逐步进化，而不是完全改变。工 作频率已从低于1GHz 升高至数GHz，带宽也从 几十千赫兹扩展到数十兆赫兹。

从硅器件过渡到GaN 器件，是否具有太多设计挑战的限制？ GaN FET 器件 太贵了吗？怎样评价GaN 的性价比、权衡整体系统成本优势？

通过远程等离子体CVD 加入隧道结，将实现更高功率，更高效率的GaN 激光器。