本期内容
2020年4/5月刊
封面故事 Cover Story
面向5G优化GaN异质结构
Optimising GaN heterostructures for 5G
Markus Behet, Joff Derluyn, Stefan Degroote, Marianne Germain；Epigan Soitec
编者话 Editorial
明日之星microLED
Rising star miroLEDs
赵雪芹
业界动态 Industry
科锐新型650V
MOSFET助力新一代应用创新
Cree's new 650V SiC MOSFETs to enable the next generation of application innovations
三安集成强化光电制造代工服务
Sanan IC expands optoelectronic foundry services
Plessey与Facebook达成独家授权合作
Plessey reached an exclusive licensing deal with Facebook
EV集团成立异质集成能力中心
EVG opens Heterogeneous Integration Centre
Power Integrations的氮化镓技术可将高效率显示器电源的输出功率 提高到75 W
Power Integrations' GaN technology increases output power of high-efficiency display PSUs to 75 W
北方华创交付氮化硅LPCVD设备
Naura's silicon nitride LPCVD equipment delivered
绝缘插入层大幅提高击穿电压
Insulating interlayer boosts the breakdown voltage
Zhihong Liu, Hanlin Xie，Kwang Hong Lee，新加坡-麻省理工学院研究和技术联盟； Chuan Seng Tan, Geok Ing Ng，南洋理工大学；Eugene Fitzgerald, 麻省理工学院
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
microLED:
硅基氮化镓找到了自己的使命
microLEDs: GaN-on-silicon finds its calling
Richard Stevenson
单晶圆工艺简化SiC的生产
Single-wafer processing streamlines SiC production
Robert Rhoades, REVASUM
优化刻蚀以改善垂直型氮化镓功率电子器件的选区掺杂
Better etching enhances selective area doping for vertical GaN power devices
付厚强, 付凯, 赵宇吉, 亚利桑那州立大学
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
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