有几项工艺技术正为在毫米波频段中获得成功而一争高下。其一是可用于手机应用的先 进 RF CMOS工艺，常用于设计集成型前端，包括低噪声放大器、开关和功率放大器。 另一种是先进的 GaAs pHEMT 工艺，它的形式是具有 0.15μm 栅长的增强型 pHEMT，与 CMOS 竞争工艺相比，其噪声指数较低、功率效率较高，而且在其他方面旗鼓相当或者 更胜一筹。

根据Yole 市场报告“Epitaxy Growth Equipment for More Than Moore Devices”：2019 年用于制造“超越摩尔定律”器件的外延设备市场价值接近9.4 亿美元，预计到2025 年该市场将超过60 亿美元，其中，金属有机化学气相沉积 （MOCVD）设备超过50 亿美元，高温化学气相沉积（HT CVD）设备约10 亿美元， 分子束外延（MBE）设备不足1 亿美元。