Cree to Expand Silicon Carbide Capacity to meet EV and 5G market demand
Cree, Inc. 近日宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10 亿美元用于扩大SiC(
)产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC 生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资,将为Wolfspeed SiC 和GaN-on-SiC(
基氮化镓)业务提供动能。在2024 年全部完工之后,这些工厂将极大增强公司SiC 材料性能和晶圆制造产能,使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
SiC器件专用测试实验室
A dedicated lab for the specialized testing of SiC devices
- Neysha Lobo Ploch, UV PHOTONICS和费迪南德-布劳恩研究所 Michael Kneissl, 柏林工业大学和费迪南德-布劳恩研究所
UV LED 正在获得越来越广泛的应用,从水、空气和表面消毒到医疗诊断、光疗和各种材料的固化等均在其列。促成该器件取得成功的是其相对于现用光源(汞灯)所具备的优越属性。UV LED 可以瞬间接通和关断,它在工作状态下不会发热,拥有环保和抗辐射的特点,而且其发射光谱范围是可选择的,以覆盖几乎整个 UVA、UVB 和 UVC 波长范围。更重要的是,它具有低工作电压、紧凑的尺寸和坚固性,因而使其成为便携式电池供电应用的理想选择。