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Compound Semiconductors 英文版
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2018年第三期
封面故事 Cover Story
柳暗花明
Going through the gears
Richard Stevenson
SiC 器件市场前景乐观。肖特基势垒二极管的销售逐渐成熟,
MOSFET 的出货量预期将在未来三年内大幅增长。
编者话 Editorial
编者话
Editorial
赵雪芹
本期杂志的封面文章“SiC :柳暗花明”分析介绍了SiC 技术和市场的现今
状况及未来几年的发展趋势。
业界动态 Industry
从硅晶圆加工业务向外扩展延伸
Branching out from silicon
Richard Stevenson 报道
掌握自己的命运是令人振奋的。关于这一点,
问问 Newport Wafer Fab 的领导者们就知道
了。他们已经在这块场地上工作了很多年,其中
有些人在这块场地归 Infineon Technologies 公司所
有、用于加工硅晶圆和硅基 GaN 晶圆的时候就在
此处工作了。2017 年 9 月,在从这家德国电子业
巨头那里购买了这家工厂之后,如今他们为能自
己掌握前行的方向感到高兴。
氮化镓技术推动电源管理不断革新?
Gallium nitride innovations promise to improve the efficiency and size of power-management systems
Ahmad Bahai,德州仪器(TI)公司首席技术官
我们可以想象一下:当你驾驶着电动汽车行
驶在马路上,电动车充电设备的充电效率
可以达到你目前所用充电效率的两倍;仅有一半
大小的电机驱动比目前应用的效率更高;笔记本
电脑电源适配器小到可以放进口袋。
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
适用于射频功率应用的硅上氮化镓
GaN on silicon primed for RF power
Markus Behet和Joff Derluyn, EpiGaN公司
除了用于600V 及以下的电源管理系统、无线充电和LIDAR 以外,硅上
氮化镓(GaN on silicon)能否继续赢得下一代RF 应用(如5G 和物联网)
的部署呢?
超辐射LED:
目标显示应用
Superluminescent LEDs target displays
Marco Malinverni, EXALOS公司
具有创纪录的输出功率和效率的超辐射LED,为平视显示器和微型投影仪
的应用前景提供了必要的条件和保证。
在硅CMOS上印刷 GaN HEMT
Printing GaN HEMTs onto silicon CMOS
Stefan Eisenbrandt和Ralf Lerner, X-FAB公司
利用微转印技术,通过将高性能GaN HEMT 与高集成度硅CMOS 集成
在一起,从而提高集成功率电子器件的效率。
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2024年 8/9 月刊
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