晶圆键合和衬底复用提供了制造绝缘体上InGaAs的MOSFET途径，这个架构可以通过垂直堆叠增加晶体管密度，同时降低功耗。

2017年GaN供应链一些公司进行重大投资，表明市场的信心，证实了功率GaN技术的价值，以及它在众多应用领域的强大潜力。

去年年底，美国光电企业 II-VI 公司的外延晶圆生产分部 II-VI Epiworks 宣布：它位于 Champaign Illinois 的最先进芯片工厂已经“破土动工”了。

随着其金刚石基 GaN 功率放大器逐步进入卫星市场，Akash Systems 公司即将“触摸到”天空。— Rebecca Pool 报道。

基于微型LED （MicroLED）的显示器，不仅具有极高的对比度与广泛的色域，还有惊人的亮度和很好的坚固性，但其复杂性会阻碍实际生产吗？

氮化镓（GaN）器件正在改变我们的生活，其中LED是其领跑者。由于LED富有竞争力的价格，极高的效率和快速响应的能力，已被广泛地应用于家庭、办公室和公共空间的照明。此外，整个GaN电子产品的市场也在显著地增长，尤其是将GaN器件用于高效率的电源开关和射频功率放大器等方面。在这一领域中，GaN已使得DC-AC转换器达到95%的高转换效率成为可能，来为太阳能光伏和电动/混合动力汽车提供电力。

本文概述了电子组件中使用GaN和GaAs微波单芯片集成电路(MMIC)的适当处理方法、元件布局、最佳贴装方法以及互连技术。