赫兹于19世纪末期发现了光电效应，爱因斯坦引入光子理论来解释光电效应，为光电子学的迅猛发展奠定了基础。基于光电效应的光电倍增管（PMT）是目前最为成熟的微弱信号探测器，起源于二十世纪三十年代。

据Knowledge Sourcing Intelligence公司市场研究报告预测：受5G通信发展的驱动， 市场2017年将达到404.52亿美元，未来几年将保持增长，到2022年将达到689.15亿美元，年均增长率为11.24%。

使用MOCVD技术来生长GaN膜层是大多数商业器件生产的核心工艺。采用这种生长技术所制造的LED可作为显示屏的背光源，为家庭、办公室及公共场来提供照明；它还可用于生产蓝绿激光器，用于光盘的数据读取和图像的投影；它还可用于生产射频及功率电子设备中的高电子迁移率晶体管（HEMT），在雷达、无线通信及电力供应等方面获得应用。

2017年3月初，据日本京都大学的创业型公司Flosfia透露，它们已经赢得了不可思议的7.5亿日元（540万英镑）的融资，该资金将用于刚玉型晶体结构的氧化镓肖特基势垒二极管和MOSFET器件的商业化生产。

由于半导体行业对于速度和能量效率的要求有增无减，因此，对于强势氮化镓 (GaN) 晶体管的全球需求量不断地攀升。

对饮用水和医疗表面的消毒不良会造成严重的后果。根据下面两个统计数据我们不妨设想一下：十分之一的人仍然无法获得清洁的饮用水；每25名患者中会有1人在住院期间被感染，导致医疗费用增加数十亿美元。

几十年来，硅器件主导着电力电子市场。它们通过起始材料质量，工艺制造技术和期间架构方面的巨大进步，保持主导地位。