基于GaN器件的数字功率放大器将在无线通信基础设施应用中掀起一场革命。
红外发光二极管(IR LED)市场持续升温,越来越受到关注。据中国LED网报道,至2020年IR LED产值(不含传感器)将达7.1亿美元,超过目前的3亿美元一倍以上,年复合成长率达24%。
位于德国柏林的仪器设备供应商LayTec公司在6月下旬发布了其首台原位(in-situ)检测设备EpiTT/VCSEL。
为了制造出具有最佳性能的光子集成电路(PIC),最好是能将InP激光器与硅的光子芯片相结合,或是在与硅组件结合之前就制造好很多种InP元件?
11月15日,在科学技术部火炬高技术产业开发中心、北京市科学技术委员会、广东省科学技术厅的指导和支持下,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)和国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办的“黄金半导•创新未来——首届国际第三代半导体创新创业大赛在中国北京国际会议中心圆满收官。
大多数 芯片的关键制造工艺是外延晶圆的生长,在这一领域富有经验的工程师受到了业界的高度重视,因为他们能够确保获得高的产品良率、更为快速的新器件开发,以及能对MOCVD反应器的内部故障进行诊断。但是他们的技能并不只限于了解在各种合金材料沉积时的最佳生长温度及其速率,还能扩展到如何通过操作硬件以在不同运行批次之间和不同加工设备之间来获得最佳的工艺重复性。
空气污染问题日益严峻,其严重后果正在向人们敲响警钟。据世界卫生组织(WHO)的报道,每年全球约有370万人丧命于室外空气污染,其中,80%死于心脏病或中风,20%患有致命的呼吸系统疾病和肺癌。
基于GaN器件的数字功率放大器将在无线通信基础设施应用中掀起一场革命。