本期内容
2016年第二期
封面故事 Cover Story
GaN突破了RF功率源在主流市场应用中的价格/性能壁垒
GaN Breaks the Price/Performance Barrier to Mainstream Adoption for RF Energy Applications
Mark Murphy, MACOM公司高级营销总监
编者话 Editorial
编者话
Editor's Note
市场 Market
深紫外光LED: 大批量生产之路
Deep UV: the road to mass production
GaN器件在雷达上的应用
Extreme GaN
海威华芯打通砷化镓生产线
HiWAFER gets through GaAs foundry production line
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
掌控好III-V族与硅材料的结合
Mastering the marriage of III-Vs and silicon
- Qiang Li和 Kei May Lau, 香港科技大学
用垂直结构提升GaN功率器件的性能
Perfecting GaN power electronics with vertical devices
- IsikKizilyalli, AVOGY
用于未来集成电路的纳米线FET
Nanowire FETs for future logic
- Richard Stevenson
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