为了降低固态照明的成本，芯片制造商必须要在更大的衬底上进行效率更高的、自动化、高良率制造。支持这一举措的基础正迅速部署到位：针对150mm蓝宝石衬底的晶圆几何尺寸和标记规则大部分已经确定，而且，有关设备硬件和软件接口标准的制定工作进展顺利。

氮基器件相比硅基器件具有更强大的性能，但是业界苦于其衬底的高成本而无法推广。目前6 英寸硅晶圆的成本只有25-50 美元，而2 英寸的氮化镓(GaN)衬底则至少1900 美元。但是这种情况很快就要改变了。

在更新2012 年第四季度氮化镓LED 供求报告时，IHSIMS Research 的分析师通过调研各LED 外延厂将来的扩产计划，对2013 年全球的MOCVD 装机量作了一个预测。

IHS 旗下分析机构IMS Research 于近期发表的一份报告中提到，尽管2012 年平板市场的功率器件需求量很大，但在2013 年还是会给众多半导体器件厂商更多的机会。

如果能将已经完全折旧的200mm Si半导体生产线实现再利用，那么Si基GaN产品将极具竞争力。这就需要平整度极高的Si基板，而稀土氧化物不仅可胜任基板的缓冲层，还能提高LED、晶体管及太阳能电池的性能。

在发光二极管(LED)封装中的单元部件内部或部件之间出现分层缺陷，其器件性能将会受到影响。这些分层缺陷无法由目前广泛使用的表征技术(如X射线和红外显微镜等)来进行检测，但采用极高频率的超声成像系统就能探测出这些分层类型的缺陷。

随着当前三接面太阳能电池的转换效率已经接近30%，似乎它已经没有更大的提升空间了。然而，根据 Solar Junction公司的报告，转为采用包含有两个稀氮化物薄层的六接面太阳能电池结构，其转换效率还可以再提升10个百分点。