我们正处在一场连接与移动技术革命之中。对于当今最先进手机的设计人员来说，他们面临的难题同样是其前辈们曾经苦于应付的，就是要想方设法地延长电池两次充电之间的间隔时间。

在今年的 制造技术国际会议(CS Mantech) 上，给与会者突出的印象是：主要GaAs 芯片制造商市场份额的起伏不定、外包业务量的增长、新型BiHEMT 和HBT 制造工艺的推出，以及pHEMT 的黯淡前景。

2013 年将会是家用照明年，预计众多一线厂家将会推出带嵌入式RF 无线控制模块的灯泡，带给消费者可负担得起的照明控制，

GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管) 技术作为下一代功率器件基础的潜力已得到证实。GaN HEMT 技术的一个优势是与可比技术相较具有更高的转换速度，但是GaN HEMT 的制造成本仍然高昂，因此降低器件成本成为重要的研发课题。

宽禁带电子器件取代硅基电子器件已经成为一种潮流，硅基器件未来对于功率器件市场的掌控力将会面临的越来越大的压力。

为了提升HEMT器件性能而进行的尝试和试验需要引入新型的、性能优越的材料组 合，以提升氮化物器件的电学性能，先前传统采用的是GaN和AlGaN材料的配对组合。

传统的三结光伏电池芯片的性能因电池脆性、刚性及低效率而存在一些问题。长期以来，多结太阳能电池的开发者们一直致力于在电池中掺入新物质，以求提高电池效率，改善性能。