GaN绿光半导体激光器与红光及红外III-V族半导体激光器的差别非常大：前者器件中的材料处于应变状态，而且为强大的内部电场及显著的能带偏移所困扰。但如果你能深入理解这些特性并加以利用，就有可能设计出高效率的绿光半导体激光器填补绿色鸿沟（Green-gap）。

为了实现能耗更低的产品设计，就需要效率更高的功率电子器件。

IHS IMS Research 的分析师每季度都会联系全球LED 生产商，询问其后面4 到6 个季度MOCVD机台购买计划（例如设备型号和外延尺寸）, 以调查GaN 基板LED 产能扩张计划。

本文主要阐述离子束的产生原理，讨论相对于等离子蚀刻等技术而言，离子束技术在蚀刻工艺中的主要应用和优势。

器件都需要使用廉价的同质衬底，但对GaN和SiC来说，简单廉价的方法非常困难。采用Ga2O3材料的晶体管相比GaN与SiC基器件而言，电场强度要高得多，而且Ga2O3同质衬底的生产成本较低、方法也相对简单。因此具有巨大的潜力。

传统的白光LED的效能已很难再有提升的空间，但采用一个单片式多重波长光源，取代传统蓝光芯片结合黄光荧光粉的方法，在提升效能上将会有重大的突破，使用纳米级的棱锥体结构便是实现这一突破的一个极佳方式。

预计到2020年，硅晶圆代工厂将会从硅器件转向锗和Ⅲ-Ⅴ族器件。实现这一转变绝非易事，但是研究人员在电介质层、接触电阻、峰值电流、材料质量等方面不断努力寻求突破。