IMS Resear ch分析师每季度都会联系全球LED生产商，询问其后面4-6个季度MOCVD机台购买计划，以调查GaN基板LED产能扩张计划。然后我们会根据设备信息推算出外延片产能，芯片产能，考量良率后芯片产能，以及分档后的芯片产能；我们根据不同尺寸的芯片需求进行比较，从而可以得出一些有意思的结果，其中之一即可回答文章题目中的问题——中国的LED产能何时成为世界第一。

具有垂直结构的发光二极管（LED）在固态照明产品应用中是非常有前景的一种器件，因为它们可以承受大的驱动电流来提供高的光输出强度。制造这种形式的LED需要采用晶圆-晶圆间的键合工艺，对于特定的器件设计来说，该项工艺包含有许多需要进行优化的变量。

大幅提高LED制造成品率可确保较低成本芯片的生产利润，并刺激固态照明的发展。确保晶圆厂生产更多合格芯片的途径之一是针对加工过程的各个步骤引入检查工具，以及能够核对所有数据和准确定位工艺问题的软件。

每个HBLED制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出并降低制造成本，从而实现双重赢利。

目前广泛使用的温度-加速试验可能过高地估算了GaN HEMT的寿命，因为该试验无法解释在小于临界电压情况下器件的失效机制，此该种失效包括有栅极性能的退化以及漏电流的急剧增加。

如今开关模式的电功率变换器限制了太阳能系统以及混合电动汽车的效率。要越过这个障碍，同时又能减少系统层面上的材料成本，其中的一个方法便是用 双极型晶体管来代替硅双极型晶体管，这样做可以使晶体管的输出电流高达50A。