设备显示出强劲渗透力

目前有四种最先进的制程工艺技术符合新系统设备要求，它们分别是基于硅绝缘栅双极型晶体管（silicon IGBT）、超接合金属氧化物半导体场效应晶体管(Super Junction MOSFETs)、氮化镓以及 的设备。

据预测，IGBTs将有16亿美元的市场预期，而SJ MOSFETs的产值将在今年年底达到5.67亿美元的市场。然而从整体半导体设备情况来看，基于 的设备市场份额只占据了1%。但在未来强有力的市场渗透下， 设备有望在今后的十年中以每年37%的速度增长，在2022年时将达53.4亿美元。

国际资讯公司合作伙伴Yole Développement于近日公布了两份报告，该报告涉及半导体和功率设备。第一份报告的标题是“功率电子行业现状”，其中清晰地描绘了功率半导体技术及市场混乱的未来，第二份报告名为“Power Fabs Database 2012”，为我们展现了当前全球功率电子行业的全貌。

报告预测，应用于功率电子市场的半导体设备（离散、模块和集成电路）将达200亿美元，随着混合动力汽车、光伏逆变器、照明、能源应用上的电压从几伏到上千伏，功率电子元器件仍旧是未来十年中发展迅速的一个部分。

当SJ MOSFETs市场上涌现出越来越多的制造商参与其中，IGBTs濒临消失的市场通过几个大型企业继续巩固自身的市场。其中就包括英飞凌、三菱电子以及富士电机。因此，在未来IGBTs与SJ MOSFETs模块业务仍将持续增长，新加入其中的制造商希望研发出冷却、互联、基质、包装和凝胶方面的工艺解决方案。

在 市场，美国科锐无疑是其中的领先者，更低的材料成本价格使得 市场发展越来越迅猛，除PFC市场外， 技术被认为完全能在高功率以及高电压环境下应用。最后值得一提的是， 公司目前已经在中国大陆浮现，这增强了当地的竞争以及对当地市场的趋势发展产生了直接影响。