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芯盟高等级功率半导体项目预计明年1月竣工

2024/9/5 9:30:12 材料来源：eCar

日前，千叶集团房建部负责人姜树军介绍，芯盟高等级功率半导体厂房项目自今年2月正式破土动工以来，项目已顺利完成主体结构封顶这一重要里程碑，标志着项目建设进入了全新的阶段——即将全面展开砖块砌筑及二次结构内外粉刷工作。

芯盟高等级功率半导体厂房项目预计将于明年1月正式竣工并投入使用。据了解，项目总投资5100余万元，建筑面积约2万多平方米，总建筑面积更是接近3万平方米，是龙游县地区内重点推进的高科技产业项目之一。主体建筑由厂房、综合楼、门卫、材料库及室外附属配套组成，建筑层数共计5层。

该项目涵盖IGBT芯片、IGBT大功率模块和分立器件，更为重要的是，芯盟也正在发力功率器件领域，该项目或涉及SiC模块产品，项目建成后将释放年产300万只高等级功率半导体模块产能。

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