高反射率电极可提高深紫外LED的效率

据武大团队展示，使用Ni/Rh/Ni/Au p型电极，基于AlGaN的深紫外倒装芯片LED的性能得以提高

武汉大学研究人员报告了一种具有热稳定性、高反射率的Ni/Rh/Ni/Au p型电极，用于提高275 nm深紫外倒装芯片LED（DUV FCLEDs）的效率。

武汉大学周圣军教授指导了这项研究，他表示：“结果表明，Rh可以抑制底层Ni膜的聚集，使Ni/Rh/Ni/Au电极退火后反射率几乎保持不变。”

基于AlGaN的深紫外FCLED因其应用范围广泛而备受关注。然而，大约会有50%的光子向下传播，因此必须使用能向上反射光子的高反射率电极来开发高效深紫外FCLED。典型的p-GaN厚层和Ni/Au电极对深紫外光的吸收率极高，因此不适合用于深紫外FCLED。此外，Ni/Au电极退火后反射率有所下降，也限制了其在深紫外FCLED中的应用。

为了解决这些问题，研究人员引入了Ni/Rh/Ni/Au p型电极和p-GaN薄层的优化组合，以提高深紫外FCLED的效率。

研究人员表示，高温退火时Rh层抑制了底层Ni的凝聚，导致所提出的Ni/Rh/Ni/Au p型电极具有很高的热稳定性。此外，Ni/Rh/Ni/Au电极的反射率较高，而且与p-GaN形成的比接触电阻率较低，因此注入电流为100 mA时，与带Ni/Au电极的深紫外FCLED相比，带Ni/Rh/Ni/Au电极的深紫外FCLED的外部量子效率和电光转换效率分别提高了13.94%和17.30%。

长期以来，带Ni/Au电极的深紫外FCLED高温退火后效率有所下降，而Ni/Rh/Ni/Au电极有效解决了这一难题，有助于开发和应用基于AlGaN的大功率深紫外LED。

参考文献

'Improved efficiency of AlGaN-based flip-chip deep-ultraviolet LEDs using Ni/Rh/Ni/Au p-type electrode' by Zhefu Liao et al; Optics Letters 2023, 48(16), 4229