Soitec和住友电工开发全新工程GaN衬底

Soitec和住友电工开发全新工程GaN衬底

Soitec和住友电气工业已经实现了一个重要的里程碑——2010年12月开始其战略联合开发计划。他们已经演示了4英寸和6英寸工程GaN衬底，并在日本伊丹和法国Bernin推出了中试生产线，以实现更广泛的市场采用。试生产线最初将制造4英寸晶圆，随后迅速跟进6英寸晶圆生产，以支持客户需求。

这些衬底是通过从一个GaN晶圆转移超薄高品质GaN层产生的，以生产出多个工程GaN衬底。利用住友电工的GaN晶圆制造技术和Soitec成熟的智能剥离（Smart Cut）层转移技术，这一战略联盟原本计划生产两英寸晶圆。

住友电工将在日本生产散装自支撑（free-standing）GaN衬底运到法国，Soitec公司将运用其智能剥离层转移工艺产生最终的工程晶圆，它与GaN晶圆有相同的热膨胀性。由此产生的晶圆具有低缺陷密度、有利于以低于散装GaN晶圆的成本制造先进半导体器件。