据吴江工信官微消息,近日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用,将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地,同时开展大规模量产化工程问题研究,提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
据悉,本次启用的英诺赛科(苏州)全球研发中心建筑面积3.5万平方米,将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求,重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件,致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台,包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等等。
现场还举行了英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目(即三期银团)贷款签约仪式。
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