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科学家利用MOVPE生长出Ga2O3膜
2023/11/16 9:22:49 材料来源：雅时
日本团队通过低压热壁MOVPE实现了高纯度β-Ga2O3厚层的高速生长
东京农工大学的科学家与Taiyo Nippon Sanso合作，利用MOVPE实现了高纯度β-氧化镓（β-Ga2O3）厚膜的高速生长。
研究团队使用三甲基镓（TMGa）作为镓前驱体，以16.2 μm h-1的速度生长出了β-Ga2O3厚层。研究人员发现，通过加快TMGa的供应速率，可线性增加β-Ga2O3的生长速率。上图显示了反应器压力为2.4 kPa时，（0001）蓝宝石和（010）β-Ga2O3衬底上β-Ga2O3层的MOVPE生长速率与TMGa供应速率的关系。
研究成果发表在2023年9月28日的《应用物理快报》（Applied Physics Express，APEX）上，论文题为“通过低压热壁金属有机气相外延高速生长高纯度β-Ga2O3厚层”（High-speed growth of thick high purity β-Ga2O3 layers by low-pressure hot-wall metal organic vapor phase epitaxy）。
该团队表示，这一成果有望促成β-Ga2O3功率器件量产技术的实际应用。
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