探讨GaN电力电子专利战的细节

David Radulescu拥有康奈尔大学 和器件(HEMT)博士学位，因此他具有独特优势，可以同时从法律角度和技术角度分辨真伪。

EPC共有57项美国专利，其针对英诺赛科的诉讼涉及其中四项，两项是2013年的专利，另外两项是2017年的专利。

2013年的一项专利（美国专利号8,350,294）与设计和制造补偿栅极MISFET有关。Radulescu表示，此处有一个关键问题，即“补偿GaN层”一词描述的是否就是英诺赛科器件中的栅极层，英诺赛科的器件可能是通过掺杂GaN和镁而形成的。实现有效的p型掺杂绝非易事。这是LED发展过程中的关键里程碑，其先驱之一，诺贝尔奖获得者Shuji Nakamura发现，在氮气环境中退火会分解镁复合物，并将氢从材料中排出，最终提高材料电导率。

Radulescu分享了从公共领域获取的文章片段，这些文章是由英诺赛科员工撰写的，他还对栅极下方使用掺杂镁的p型层进行了讨论。此外，Radulescu还强调了EPC进行二次离子质谱(SIMS)后的结果，该质谱针对英诺赛科器件的栅极堆叠，检测了其中镁、氧、碳、铝和氢的含量。

专利诉讼专家解释说，法院必须仔细考虑一些问题。除了考虑英诺赛科是否使用“补偿GaN层”外，还必须尝试确定该公司是如何制造p型GaN堆叠的，是否与生产LED一样，生长后在氮气中退火，以及从SIMS数据中可以得出什么结论。

EPC声称其2013年的另一项专利受到英诺赛科行为侵犯，这项专利与自对准栅极E模式HEMT相关（美国专利号8,404,508）。EPC指出，在该专利中，其自对准工艺导致栅极（接触）金属底部与“栅极化合物”顶部尺寸相同。

Radulescu指出，栅极可以有多种形状，包括自对准几何形状，规则T形和倒T形。英诺赛科拥有栅极工艺专利（美国专利号10,971,579）。通过这种方法，有意将栅极下方的GaN做得比栅极（接触）金属更宽。

Radulescu表示，EPC声称其‘508专利受到侵犯，一些人试图评估这一声称的有效性，因此面临的一个关键问题是：“除栅极接触下方的部分掺杂GaN层外，蚀刻掉所有掺杂GaN层”是否描述了英诺赛科制造栅极“凸缘”的过程？

EPC声称受到侵犯的四项专利中，其余两项是2017年的专利，美国专利号分别为9,748,347和10,312,335，这两项专利包括带有自对准凸缘的栅极，可用于增强型GaN晶体管。两项专利描述了一种用于调整栅极漏电流的架构：金属栅极下方有凸缘，凸缘侧表面“水平延伸”至源极和漏极（见图）。

Radulescu表示，这两项专利都要求栅极“侧表面”向源极/漏极“水平延伸”。英诺赛科可能会辩称其侧表面近乎垂直，或者可能会质疑应如何定义所需坡度。