激光微加工解决方案支持的应用中的功率器件和microLED
2023年7月11日至13日,Semicon West将在旧金山举行。3D-Micromac AG作为微加工和卷对卷激光系统的专业公司,届时将针对功率器件、磁传感器和microLED,展示激光微加工的新进展。
虽然对SiC功率器件的开发投入巨大,但欧姆接触还是会在器件背面形成,在确定器件的电气特性和机械强度方面起着关键作用。
3D-Micromac的microPRO XS OCF系统专为SiC功率器件中的欧姆接触形成(OCF)设计,因其具有高精度、可重复性和低热泄性,其中低热泄性可防止对晶圆正面造成热损坏,从而对器件性能产生负面影响。该系统采用紫外波长二极管泵浦固态激光源,具有纳秒脉冲和点扫描功能,可处理SiC晶圆的整个金属化背面,同时防止大型碳簇的产生以及对晶圆正面造成相关热损坏。
新功能包括可确保正向电压恒定稳定的大型能量密度工艺窗口,以及可直接加工200毫米SiC晶圆的能力,无需缝合从而避免产生可能对良率和器件质量产生负面影响的死区。
基于激光的样品制备
为进行微观结构诊断和失效分析(FA)而从半导体晶圆、模具和封装中切割和制备样品是至关重要的一步,但却耗费时间且成本高昂。聚焦离子束(FIB)微加工可能耗费几个小时的时间才能制备出一个典型样品。此外,通过FIB产出的样品尺寸非常小,且通过横截面成像所需的“digging”挖掘会浪费宝贵的FIB时间。有限的消融率严格限制样品达到更大的深度或宽度。
3D-Micromac表示,其microPREP PRO系统现在可以为各种样品制备应用提供基于激光的样品制备。该系统放弃了FIB工具中绝大多数的样品制备工作,并将FIB降为最终抛光,从而对现有样品制备方法进行了补充。因此,在许多情况下,microPREP PRO可将形成最终样品的时间缩短至一小时以内,成效显著。
microPREP PRO在半导体中的新应用包括,针对微/纳米X射线断层扫描、横截面、分层、去盖和消融层,制备块状结构以及婚礼蛋糕式(层叠)结构,以暴露用于探测和测试的导线。在后续检查和失效分析过程中,microPREP PRO还弃用了有缺陷的microLED,从而为microLED的制造提供了支持。
近期,3D-Micromac还推出了新型microPREP PRO FEMTO系统,该系统具有飞秒激光源和优化后的光学装置,可提供高速原子探针断层扫描(APT)。microPREP PRO FEMTO将APT样品制备时间从几小时缩短至几分钟,精度达到毫米级,还可避免对样品造成热损坏。
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