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ECLIPSE项目旨在建立先进GaN外延材料的生产和供应
总部位于美国的GaN功率公司Transphorm已获得美国国家安全技术加速器(NSTXL)高达1500万美元的合同。
该合同针对ECLIPSE项目,委托Transphorm制造先进的GaN外延片。该公司表示,有机会为该项目做出贡献,显示了其在先进GaN材料领域及其MOCVD制造基础设施方面的知识产权、知识和专长。
Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示,“毫无疑问,先进GaN材料的价值和潜力在广泛的应用中是显而易见的。我们开发了多个高功率密度平台,这些平台具有创纪录的性能和效率优势,适用于功率转换和射频应用。”
“这种类型的创新正是Transphorm擅长之处,因其强大的核心外延材料的多功能性,及其设备和制造能力。我们一直致力于发展和改进GaN技术的各个方面,包括材料、设计和工艺。我们现在期待ECLIPSE项目得以强力执行,以增强我们供应先进GaN外延片的能力。”
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