纳微半导体联手埃克塞德，工业充电桩采用GeneSiC 功率器件

纳微半导体GeneSiC™ MOSFETs为埃克塞德工业物流车辆的高频充电桩带来更高效率和更优温控表现

纳微半导体宣布埃克塞德科技集团(Exide Technologies)用于匹配工业物料搬运设备的下一代高频快速充电桩已采用纳微旗下领先的GeneSiC 功率半导体器件，以确保设备充电的可靠性、安全性、易用性并实现最佳的充电效果。

埃克塞德科技集团（以下简称埃克塞德）是全球领先的工业和汽车市场创新型可持续电池储存解决方案供应商。埃克塞德提供全面的铅酸电池和锂电池解决方案，广泛应用于各种领域，包括物料搬运设备和机器人的牵引电池和充电解决方案，以最小化总成本，实现最大化车队可用时间。

(SiC)是一种新的“宽禁带”功率半导体材料，正在快速取代传统硅功率芯片，应用于可再生能源、储能、 微网、电动汽车和工业应用等高功率、高压应用领域。

GeneSiC“沟槽辅助平面栅极”的 MOSFET技术兼具平面和沟槽的优势，具备高效 、高速的性能。相比其他 产品，运行时的最高温度低25°C，寿命延长3倍之多。已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高、短路耐受时间延长30%、并且稳定的门极阈值电压便于并联控制。在这些优点加持下，GeneSiC MOSFET是工程师研发高功率、快速市场化的应用产品的理想之选。

埃克塞德的高频充电桩将220伏交流电转换为24至80伏的直流电，为搭载了铅酸电池和锂电池的工业车辆充电。

这款7kW的模块采用GeneSiC G3R60MT07D (750V) MOSFET和GD10MPS12A (1,200V) MPS 肖特基二极管，并采用频率优化的架构。相同的平台可升级至10kW，支持4个模块并联，实现高达40kW、可靠、快速的充电。

【最新会议】6月13日将在线上举办有关揭秘“6-8英寸高品质SiC磨抛技术解决方案”的主题会议，现已邀请北京特思迪的孙占帅部长、蒋继乐博士，以及泛半导体产业投融资巨鳄：安芯投资 王永刚总加入会议，将围绕抛磨的设备/工艺/及市场发展趋势等内容展开分享！欢迎扫码报名：https://w.lwc.cn/s/mYV7by