博世将收购美国芯片制造商TSI

公司计划投资15亿美元用于电动汽车的SiC技术

博世正在扩大其SiC半导体业务，计划收购总部位于加利福尼亚州罗斯维尔的美国芯片制造商TSI半导体的资产。其目标是到2030年底大幅扩大其SiC器件组合，以满足电动汽车的需求。

TSI拥有250名员工，是一家专用集成电路（ASIC）的代工厂。目前，它主要在200mm硅晶圆上开发和生产大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学。

在接下来的几年里，博世打算在罗斯维尔工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体制造设施改造成最先进的工艺。从2026年开始，经过重组阶段，第一批芯片将在基于SiC的200mm晶圆上生产。SiC芯片将在一个提供约10000平方米洁净室空间的设施中，在200毫米晶圆上生产。

计划投资的全部范围将在很大程度上取决于通过《芯片和科学法案》提供的联邦资金机会以及加利福尼亚州的经济发展机会。博世和TSI半导体公司已达成协议，没有披露交易的任何财务细节，交易需经监管部门批准。

博世管理委员会主席Stefan Hartung表示：“通过收购TSI半导体，我们正在一个重要的销售市场建立SiC芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加半导体制造。罗斯维尔现有的洁净室设施和专家将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的SiC芯片。”

“罗斯维尔的设施自1984年以来就一直存在。近40年来，这家美国公司在半导体生产方面积累了丰富的专业知识。博世管理委员会成员、移动解决方案业务部门主席Markus Heyn表示：“我们现在将把这一专业知识整合到博世半导体制造网络中。”TSI半导体公司首席执行官Oded Tal表示：“我们很高兴加入一家拥有丰富半导体专业知识的全球运营技术公司。我们相信，我们在罗斯维尔的位置将是博世SiC芯片制造业务的重要补充。”

不断加大投资

到2025年，博世预计每辆新车平均集成25个芯片。SiC芯片的市场也在持续快速增长，平均每年增长30%。这一增长的主要驱动力是全球电动汽车的繁荣和发展。在电动汽车中，SiC芯片能够实现更大的续航里程和更高效的充电，因为它们消耗的能量最多可减少50%。它们安装在这些车辆的电力电子设备中，确保车辆在一次电池充电后可以行驶更长的距离——平均而言，可能的续航里程比硅基芯片大6%。

自1970年以来，博世一直在德国的Reutlingen生产半导体。位于德累斯顿的博世新晶圆厂（300mm晶圆）于2021 7月开始生产。德累斯顿晶圆厂投资近10亿欧元，是该公司历史上最大的一笔投资。

博世在早期阶段就投资于SiC芯片的开发和生产。自2021以来，它一直在使用自己的专有工艺在罗特林根进行大规模生产。未来，罗特林根还将在200毫米晶圆上进行生产。该公司表示，到2025年底，将把位于罗特林根的洁净室面积从大约3.5万平方米扩大到4.4万多平方米。Heyn表示：“SiC芯片是电动出行的关键部件。通过在国际上扩大我们的半导体业务，我们正在加强我们在重要电动汽车市场的本地业务。”

自2010年引入200mm技术以来，博世在罗特林根和德累斯顿的晶圆厂总共投资了超过25亿欧元。除此之外，还投资了数十亿欧元开发微电子技术。独立于目前计划在美国进行的投资，该公司于去年夏天宣布，将在欧洲的半导体业务上再投资30亿欧元，这既是其投资计划的一部分，也是在欧盟“欧洲共同利益的微电子和通信技术重要项目”计划的帮助下进行的。

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、 先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“ 先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2