GaN功率应用厚积薄发，为产业加速成长赋能

爱发科商贸（上海）有限公司副部长周燕萍首先结合市场趋势介绍了GaN基HEMT的优异特性。她说，近年来随着新能源汽车、5G通信等领域的不断发展，半导体器件在高温、高压、高频下的工作需求也在不断提升。GaN作为第三代宽禁带半导体材料具有高电子饱和速率、高临界电场、高导热率、耐高温、化学性质稳定等优异特性，逐渐成为研究热点。GaN基HEMT器件不仅拥有上述优异特性，还得益于存在高迁移率二维电子气（2DEG），具有高电流密度和低导通电阻的优点，在RF通信、车载OBC等领域扮演着重要角色。

她在介绍GaN-HEMT结构时表示，经过多年研究发现，GaN-HEMT器件制备中有很多技术难点，如低速率、高选择比刻蚀等。为此，爱发科提供了对应的GaN-HEMT制备设备和工艺解决方案，包括共通平台uGmni系列、大排气Chamber搭载uGmni Demo机、工艺气体系统、具有稳定性加热设备的刻蚀单元等。她说，爱发科的uGmni设备具有等方向、大排气Chamber和ISM-duo等离子体源等优势；其刻蚀设备采用0.1W偏压功率控制和薄膜控制的光学干涉型EPD，适用于低损伤刻蚀。

南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇在介绍Si基GaN器件及系统研究与产业前景时说，以GaN为代表的第三代半导体材料和器件具有优良的高温高压及高频特性，被认为是下一代电力电子和微波射频技术的核心。欧美日等均将第三代半导体纳入国家发展战略规划，中国第三代半导体产业也形成了以长三角、珠三角等为代表的产业集群，并布局了国家第三代半导体技术创新中心。

他介绍说，近年来，南方科技大学深港微电子学院在Si基GaN器件及其功率和射频系统应用方向取得了一系列研究成果：利用先进Si基GaN器件工艺，采用PFC技术，开发出300-4000W高效工业电源；将GaN射频器件及5G小基站射频前端应用于微小基站的高效Doherty功率放大器；利用GaN气体传感器在高温环境中实现CO、H2S、H2等气体及颗粒物的高灵敏度探测。

他还表示，第三代半导体产业已写入“十四五”规划，期间主要解决我国第三代半导体产业从“有无”到“能用”的问题，通过实现全产业链能力和水平提升，整体国际同步，局部实现超越。要实现这一目标，迫切需要政产学研用紧密合作，着力突破材料和器件关键技术、加快可靠性验证、完善标准体系、推动国产替代应用、强化人才培育和引进，构建要素齐全、创新活跃、开放协同的产业生态。

在问答环节，四位演讲人回答了听众的问题，线上研讨会在线直播活动结束后，与会者仍然意犹未尽。

为了持续满足行业对于第三代半导体技术的关注，雅时国际将于2023年5月23-24日在苏州举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：硅基半导体制造与封装、 先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“ 先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。展开泛半导体产业高端对话，促进参会者的交流信息与合作。主办方期待与大家苏州再度相逢！