弗吉尼亚理工大学证明了CGD GaN的稳健性

剑桥氮化镓器件（CGD）宣布，学术研究机构弗吉尼亚理工大学的独立第三方研究表明，CGD的ICeGaN GaN技术比其他氮化镓平台更可靠、更稳健。

由弗吉尼亚理工大学的研究人员和CGD创新与研究总监Daniel Popa发表的论文《具有卓越栅极过电压稳健性的GaN HEMT》提供了实验证据，表明由智能保护电路支持的ICeGaN HEMT显示出超过70 V的超高过压裕量，可与最先进的传统硅器件相当， 甚至可能更高。

CGD创新和研究总监Daniel Popa表示：“意外的高驱动电压是GaN HEMT器件栅极可靠性和驱动器设计的关键问题。最先进的GaN HEMT能承受的电压约为25 V，在转换器等应用中，该电压可能在栅极电压过冲范围内，从而导致器件故障。在ICeGaN之前，只有最先进的SiC和超结器件才能实现70 V或更高的击穿电压值。”

根据CGD的说法，ICeGaN HEMTS拥有一套独特的内在功能，共同提高了器件的可靠性，远远高于竞争对手当前最先进的GaN器件，同时接近最先进的硅基器件的耐用性。除了通过包含完全集成的GaN智能电路实现的大幅提升的动态栅极击穿能力，且得到弗吉尼亚理工大学研究的证实之外，ICeGaN技术还具有更高的电压阈值（3V），更高的电压范围（0 – 20 V）和在较低温度下的更强的栅极电压钳位作用。

此外，在智能ICeGaN电路中还集成了一个新颖的米勒钳位设计，可确保对高dV/dt和dI/dt事件的抗扰度，并避免了关闭（和保持关闭）HEMT时对负栅极电压的需求，从而减少了对动态Ron应力的暴露。

CGD首席运营官Andrea Bricconi表示：“CGD的ICeGaN技术的两个主要优势是易用性和可靠性。我们的设计将片上氮化镓制造的智能保护电路与HEMT集成在一起，促成了这两个关键优势，使器件能够像MOSFET一样被驱动——无需特殊的栅极驱动器、复杂和有损耗的驱动电路、负电压电源要求或额外的钳位元件——并能够承受严苛和具有挑战性的应用条件。”

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