答：差异较大，不过无法定量描述，因为产品车规认证是对器件的，不是对材料，材料目前只有车规体系认证，从器件传递到材料，关系比较复杂，没有严格的对应关系。

问：请教陆博士，在长晶过程中一台设备必须要有一个人调试，还是多台长晶炉可以只需要1个人来管控？

答：一般1人都可以操作多台设备。

问：陆博士您好，非常感谢划时代全新技术的分享，前面的分享中，我想提一个问题，和PVT方法相比，液相法生长的晶锭的规模化量产的工艺是否与现有的PVT方法有一定的简化？

答：是的，液相法无需 粉料合成；另外液相法长晶温度低，晶体中内应力小，对后续晶体及晶片加工更有利。

问：陆博士您好，请教下液相法大尺寸成分均匀性如何去控制？以及您预测液相法大概还需多久商业使用率能超过PVT法？

答：应该是电阻率均匀性控制，与PVT一样，主要是通过优化工艺，还有热场。初步预测液相法3年内产业化，5年内超越PVT。

问：陆博您好，请问液相法做成P型的 缺陷是否比较低呢？以及，如何去除缺陷问题？如做成IGBT器件，是否仍需要N型的过度层呢？谢谢！

答：是的，总位错密度可以控制在3位数以下；通过位错线转向到平面内来降低穿透位错；类似于MOSFET,需要。

问：SiC wafer有的呈现墨绿色，有的是透明的，是金属参杂浓度的差异吗？各有什么应用。只有透明的SiC wafer才能用来做外延片吗？

答：墨绿色是n型导电，CVD外延 用于电力电子；透明的是半绝缘，MOCVD外延氮化镓，用于微波射频。

问：老师您好，请问液相法实现大规模生产的核心点在哪里？是人才、工艺参数的调试，还是设备，哪个环节是液相法生产和扩产的瓶颈呢？

答：人才和工艺。

问：目前国内外是否有做导电型 衬底的液相外延？进展如何？

答：目前主要就是做导电型，包括n及p；都集中在实现6英寸的产业化研发阶段。

问：陆博士，您好，目前液相法生长技术掺杂好控制吗？

答：可以，n型与PVT类似，就是通入氮气，p型就是加入固体Al源。

问：SiC无P型参杂,有高压市场应用限制, 现电动车TESLA的高压应用是哪种型式的SiC应用?

答：车规的高压应用于对 而言还是属于低压，650V器件做400V系统、1200V器件做800V系统，将来900V更高系统，也就至多1700V器件就足矣。另外CVD外延是可以实现p型掺杂的，不过PVT是不易实现p型重掺的，故无法生产低阻p型衬底，但液相法是可以的。

问：中国目前都有哪些玩家是用液相法的 请教一下

答：北京晶格领域、常州臻晶半导体。

问：液相法的晶棒长度最多能长到多长

答：理论上可以达到10cm以上，目前尚在2cm之内。

问：因为液相法是液态输运， 其原材料的固态粒度有要求么？  粒度越细越好？

答：粒度基本没有要求，不能太细。

问：碳溶剂本身技术要求是什么呢？

答：溶碳能力强、与硅少反应、熔点低、粘度小、饱和蒸气压低等。

问：您好，陆博士。P型SiC电阻率做到多少能满足器件要求

答：50毫欧.厘米以下。

问：液相法有什么缺点呢？

答：目前尚未产业化、助溶剂夹杂。

问：cree的 SiC非常贵，他们不是液相法吧？

答：不是，是PVT。

问：液相法扩径是通过控制提拉速度吗？

答：不是，通过径向温度梯度。