UV LED制造取得突破

Silanna UV表示，UV-C LED技术的突破为消毒、水质监测、气体传感、液相色谱以及化学和生物分析等多种应用提供了优势。

这家澳大利亚公司表示，其新的制造方法有望使深紫外和远紫外LED更容易制造，在更短的波长下更高效，并且更可靠。

据说Silanna UV的专利短周期超晶格(SPSL)方法克服了困扰竞争性AlGaN UV-C LED技术的许多困难。实质上，Silanna UV已经有效地创造了一种新材料，一种纳米结构，它更容易控制，并且具有远优于传统AlGaN的特性。UV-C LED质量的优势是革命性的。

多年来，UV-C LED制造商一直依赖传统的AlGaN配方。理论上，通过调整多元晶格中铝和镓金属的比例，可以调节带隙以产生从340nm到210nm的紫外发射，覆盖大部分紫外光谱。

但实际上，低于260nm的发射需要高Al含量的AlGaN，与GaN不同，它很难实现理想的n型和p型掺杂，特别是在最短波长下，导致电性能不佳。由于发射光的偏振，高铝含量的AlGaN还存在光提取问题，导致光输出的显著损失，尤其是在240nm以下的远紫外范围内。

为了克服UV LED中的这些问题，Silanna UV使用了新技术。Silanna UV没有使用常见的AlGaN方法，而是使用SPSL。在这种方法中，不是使用老式的三元合金，而是精心构建了AlN和GaN的交替层（多达数百层），以创建所谓的SPSL。

与传统的三元合金不同，这种SPSL的关键特性——包括带隙和导电性——可以通过调整组成层的厚度进行微调。这意味着由高铝含量AlGaN引起的问题得到缓解——特别是这种老方法的不良电气特性和短波长的光耗损。

Silanna表示，其SPSL技术与UV-C LED竞争对手相比具有很大优势，包括在较短波长下保持高功率、卓越的电气性能和出色的使用寿命性能。

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