X-FAB将获得IHP Leibniz SiGe BiCMOS平台的授权

X-FAB Silicon Foundries宣布进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所 (IHP) 的长期合作伙伴关系。作为新协议的一部分，X-FAB 现在将获得IHP尖端SiGe技术的授权。这意味着这项技术的性能优势可以带给大批量客户。

新创建的130 nm平台显著增强了 X-FAB 技术组合，提供了独特的解决方案，可实现满足下一代通信要求所需的更高性能参数。受益于这项技术的领域示例包括 Wi-Fi 6（和未来的 Wi-Fi 7）接入点，以及下一代蜂窝基础设施（特别是 5G mmW 和新兴的 6G 标准）和车对车 (V2V) 通信。

该技术还将在 +100 GHz 雷达系统的开发中发挥关键作用，用于汽车和消费类应用。

该许可协议是2021年开始的合作工作的延续，当时X-FAB的铜后端被添加到IHP的SG13S和SG13G2前端技术中，以提高可支持的带宽数据。关于这个创新的SiGe平台，X-FAB将在2022年第四季度开始与选定的早期采用者就原型设计项目进行合作。提供早期访问PDK以支持原型设计，而批量生产将在X-FAB France（该公司在巴黎附近的工厂）进行。

IHP的科学总监Gerhard Kahmen表示：“将IHP的HBT整合到X-FAB的RF平台，将为客户提供真正与众不同的SiGe BiCMOS技术，该技术肯定会带来切实的性能优势。我们两个组织之间的技术转让是工业界和研究机构如何合作取得卓越成果的完美例子。”

“X-FAB和IHP在结合各自资源开发先进半导体解决方案方面有着成功的记录，而最新的 SiGe 公告将其带入了一个全新的激动人心的阶段，”X-RF 技术总监 Greg U'Ren 表示， “这是我们进一步进行 SiGe BiCMOS 相关创新的起点，这将有助于定义未来几年的通信领域，涵盖工业自动化、消费和汽车用例。”

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