Finwave Semiconductor获得1220万美元融资

3DGaN创新者、麻省理工学院衍生公司Finwave Semiconductor宣布获得1220万美元的A轮融资，由Fine Structure Ventures领投，Citta Capital、Soitec、Safar Partners和Alumni Ventures跟投。

此次A轮融资之前，美国能源部能源高级研究计划署(ARPA-E)的SCALEUP（为蕴藏潜力的领先能源技术种下关键进展）曾授予了它430万美元的联邦资金，以帮助将该公司的技术推向量产。

这笔资金将用于扩大公司的团队、产品开发活动和实验室设施——所有这些都是为了推进Finwave的使命，即利用下一代 3DGaN FinFET 技术彻底改变5G通信的未来。

“Finwave的技术开启了5G的承诺，”Fidelity Investments的母公司FMR LLC下属的风险投资基金Fine Structure Ventures的资深执行董事Jennifer Uhrig说，“该公司将一流的功率放大效率与大批量制造相结合，克服了阻碍毫米波广泛采用的性能和成本限制。我们很高兴能与Finwave合作，将他们的革命性产品推向市场。”

毫米波对所有无线技术的未来都至关重要，但其潜力的实现面临着严峻的障碍。弱上行链路、高部署成本、低5G无线电效率和飙升的运营成本共同阻碍了毫米波的前景。目前，5G网络正受到阻碍，无法实现其真正潜力，因为缺少一个关键组件：高性能毫米波功率放大器技术。

高性能GaN-on-Si带来了一种新选择，可以使 5G 毫米波更加实用。在毫米波频率下，GaN-on-Si放大器优于Si RFSOI MOSFET、GaAs pHEMT或SiGe器件等替代解决方案。Finwave屡获殊荣的3DGaN 技术显著提高了5G毫米波系统的线性度、输出功率和效率，同时大大降低了运营商的成本。通过利用大批量8英寸Si CMOS晶圆厂生产 3DGaN芯片，Finwave的器件受益于硅技术的成本模型和可扩展性。

“3DGaN FinFET技术是10多年研究和开发的成果，最初是在麻省理工学院开发，并获得了令人羡慕的2012年IEEE电子器件协会George Smith奖，”Finwave首席执行官兼联合创始人Bin Lu（上图中是他与共同创始人Tomas Palacios）指出，“此后，全球越来越多的研究人员证明了GaN FinFET的巨大潜力。

“Finwave成立的使命是将技术从实验室扩展到大批量产品，从而造福社会，而5G为该技术带来的规模、性能提升和成本优势提供了完美的市场机会。在解决了众多制造难题并成功创造了使用标准 8 英寸 Si CMOS 工具的制造工艺后，Finwave正在引领5G的3DGaN技术商业化。”

Finwave首席战略官兼执行主席Jim Cable补充说：“在绝缘体上硅技术工作了 30 年，并成为将该技术应用于地球上每部手机的早期先驱之后，Finwave的3DGaN GaN-on-Silicon技术的机会是巨大的，我很高兴能成为该团队的一员。我个人很清楚将新技术推向大批量市场所面临的挑战，我们非常专注于实现这一目标的各个方面。完成本次A轮融资对我们来说是向前迈出的重要一步。”

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