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SweGaN和查尔姆斯大学展示最新的GaN功率器件
2022/6/30 8:05:16 材料来源：
器件在QuanFINE外延解决方案上具有>1600V的高击穿电压和22nA/mm的低漏电流
查尔姆斯理工大学（Chalmers University of Technology）和定制GaN-on-SiC外延片制造商SweGaN AB宣布在《电子器件快报》上发表文章，展示由查尔姆斯MIS-HEMT技术和SweGaN QuanFINE无缓冲硅基氮化镓材料实现的高压氮化镓功率器件的最新研究成果。
在主要的研究结论中，该研究发现QuanFINE外延片是用于1200V应用的高压功率器件的一个极具竞争力的候选者，此外，它目前在射频市场上也有很大的吸引力。
“凭借出色的结果确立了我们材料的强大能力，我们预计SweGaN在这个电动汽车时代将会有越来越多的机会，因为功率器件对汽车的性能至关重要。我们目前正在与早期采用GaN功率器件的公司进行讨论，以推出能够发挥GaN真正优势的高压电源解决方案。”SweGaN首席技术官Jr-Tai Chen说。
该论文是Björn Hult等人的《 “无缓冲”异质结构上的高电压和低漏电GaN-on-SiC MISHEMT》，描述了一种用于电源开关应用的新型“无缓冲”GaN-on-SiC MIS-HEMT。此外，文章还展示了具有极低栅极和漏极漏电流的高压操作，在漏极电流为22 nA/mm时实现了3.61 m Ω·cm2的特定导通电阻和1622V的击穿电压。
查尔姆斯理工大学的Niklas Rorsman说：“SweGaN开发了高度稳健和创新的GaN-on-SiC材料。我们很高兴能与SweGaN持续合作，进行联合研发。此次合作在开发III族氮化物材料和器件方面非常成功。”
“查尔姆斯和SweGaN的合作在众多研究项目上都取得了成功。利用从材料层面到器件层面的综合专业知识是这一成就背后的关键，这也将进一步加强SweGaN的长期市场战略和产品创新，并为我们的全球客户群提供显著的利益。”SweGaN首席执行官Jonas Nilsson说。
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