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麻省理工学院的创新者提高了硅基GaN毫米波频率下的线性度
2022/6/27 7:48:56 材料来源：
Finwave Semiconductor 以 3DGaN FinFET 应对 5G 挑战
Finwave Semiconductor（前身为剑桥电子）宣布，其目标是利用下一代 3D GaN 技术彻底改变 5G 通信的未来。
“当今的 5G 毫米波网络受到功率放大器低效性能的严重限制，”Mobile Experts 首席分析师 Joe Madden 评论道，“如今使用 RF-SOI 和 CMOS 技术而不是 GaN，因为需要将逻辑电路与射频前端集成，但这会在功耗和散热方面带来很大的折中。高性能硅基 GaN 带来了一个新的选择，可以使 5G 毫米波更加实用。”
GaN 半导体具有比硅高十倍的击穿电场、高电子迁移率和在更高结温下工作的能力，有望在未来十年的技术革命中发挥重要作用。在毫米波频率下，硅基GaN放大器优于 Si CMOS、GaAs pHEMT 或 SiGe 器件等其他解决方案。
Finwave 的联合创始人 Tomas Palacios 和 Bin Lu 最初在麻省理工学院合作，发明了Finwave的几项基础技术，包括一种基于FinFET架构的新型 GaN 晶体管。从麻省理工学院分拆出来后，该公司花了几年时间进一步开发该技术，以便在标准硅 CMOS 晶圆厂进行制造。到 2020 年，Finwave 展示了第一款使用 8 英寸硅 CMOS 工具制造的 GaN FinFET。
“随着 GaN 继续从硅中获得市场份额，首先是 4G 大功率宏基站，然后是手机和笔记本电脑的快速充电器，我们相信硅基GaN的下一个最大机会将是 5G 基础设施和手机应用，”Lu说，“凭借我们独特的 3DGaN 技术、专有的 8英寸CMOS 兼容制造工艺和世界一流的专业知识，我们 Finwave 的团队已准备好推动整个行业向前发展，成为 5G 市场的领先推动者。”
据说，Finwave 屡获殊荣的 3DGaN 技术可以显着提高 5G 毫米波系统的线性度、输出功率和效率，同时大大降低运营商的成本。通过利用大容量 8 英寸 Si CMOS，Finwave 的器件受益于硅技术的成本模型和可扩展性。“GaN FinFET 结构出色的静电控制和线性度、硅的成本模型以及最先进的 8英寸和未来 12英寸晶圆厂的扩展能力，使3DGaN成为真正的游戏规则改变者。”Palacios评论说。
Finwave 执行董事长兼首席战略官 Jim Cable 指出：“Finwave公司是杰出的大学研究与有经验的行业专家相结合的产物，他们有建立公司并将其从初创公司带到上市的经验。5G 将成为经济增长的巨大引擎，在一家为市场带来颠覆性的有利技术的公司工作，这真是一个非常激动人心的时刻。我期待继续构建我们的 IP 组合以及我们的产品和客户群。我们正处于几十年来电子行业最激动人心的时刻，Finwave 快速成长的团队已准备好在与我们的合作伙伴密切合作中发挥关键作用。”
本月晚些时候，Finwave 将在丹佛举行的国际微波研讨会上与合作伙伴、行业专家和其他相关方会面。
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