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稳懋和南加州大学合作开发GaAs和GaN技术

2022/6/10 7:45:22

信息科学研究所MOSIS Service与稳懋合作加速MMIC的发展

南加州大学信息科学研究所MOSIS Service将使用稳懋半导体（WIN Semiconductors）的 GaAs 和 GaN 工艺技术来加速单片微波集成电路 (MMIC) 的开发。

此次合作结合了MOSIS的半导体设计支持和制造专长，包括多项目晶圆 (MPW) 运行，以及稳懋半导体的包含GaAs和GaN在内的 III-V 高速器件技术和原型封装技术。

通过此次合作，大学、研究机构和行业组织将可以使用广泛的异质结双极晶体管 (HBT)、pHEMT 和射频 GaN HEMT 技术平台组合，以开发新的高性能 MMIC 设计，包括工作频率为 100 MHz至175 GHz的放大器设计和集成前端。

此次MOSIS Service与稳懋半导体的 MPW 项目合作，为进行创新、可靠、高效的设计和原型设计流程奠定了基础。

“对于MOSIS Service来说，这是一种新的重要能力，可以与微电子界一起提供对非硅晶圆制造工艺的访问和支持。” 信息科学研究所执行董事 Craig Knoblock说。

“美国政府、研发实验室、公司和学术界将首次获得稳懋半导体的III-V族工艺组合和MOSIS的传统设计和制造服务能力。我们相信，此次合作将极大推进微电子研发，并加速先进GaAs和GaN MMIC的开发。”

“我们很高兴与稳懋半导体合作推出这项计划，” MOSIS Service总监Lifu Chang说，“稳懋半导体是纯代工领域的全球领导者，提供全面的III-V技术组合。与硅技术相比，这些III-V代工技术需要更高水平的设计-技术相互作用。我们的MOSIS经验为紧密耦合的和高效的设计和制造流程提供了一个平台，以支持对高性能前端应用感兴趣的大学和设计公司。”

Knoblock对此表示赞同：“在全球竞争和晶圆供应紧张的背景下，美国大学和企业在获得各种半导体工艺和设计支持方面存在严重的问题。MOSIS Service致力于为解决此问题做出贡献。GaAs和GaN技术的加入是必要的，我们将在这个方向上大力推进。”

稳懋半导体技术和战略业务发展高级副总裁David Danzilio表示：“稳懋半导体与MOSIS Service之间的合作为许多新用户提供了一个新平台，让他们能够使用稳懋公司领先市场的技术。” Danzilio 指出，“我们正在与MOSIS团队一起构建一个强大的项目框架。我希望能吸引和支持许多感兴趣但需要MOSIS所能提供的技术支持水平的客户。稳懋半导体是最大的纯代工厂，我们欢迎MOSIS Service提供的新客户参与”。

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