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Sensitron用EPC GaN FET缩小半桥模块
2022/5/31 8:09:32 材料来源：
高功率密度350V GaN IPM比硅解决方案小60%
通过用EPC的350V、EPC2050 GaN FET取代传统的硅FET，美国高可靠功率电子元件制造商Sensitron能够将半桥模块的尺寸减小60%，同时也改善了模块已经连接到外壳的热传导。
Sensitron的SPG025N035P1B是一种高功率密度350 V、20 a GaN半桥，采用集成门驱动器，在500 kHz时针对杂散电感和开关性能进行了优化。该模块的额定电流为20 A，可用于控制3 kW以上的功率。Sensitron专有的上部冷却技术采用超小型、轻质、高功率密度封装（1.10英寸x 0.70英寸x 0.14英寸），可实现最佳的热性能。SPG025N035P1B设计用于商业、工业和航空航天应用。
SPG025N035P1B模块使用EPC2050，后者是一种额定电压为350 V最大RDS(on) 80 mΩ的GaN FET，小芯片尺寸封装峰值电流功率为26 A，尺寸为95 mm x 1.95 mm。由于低开关损耗，EPC2050为Sensitron提供了高效的解决方案，由于尺寸非常小，提供了高功率密度的解决方案。EPC2050也是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED照明的理想选择。
Sensitron新业务开发总监Richard Locarni评论道：“我们很高兴能与EPC合作。通过使用超小型EPC2050 GaN FET，我们可以设计一个效率更高的350V半桥模块，其尺寸是替代硅解决方案的1/3，使我们能够捕获非常高密度的应用。”
EPC首席执行官Alex Lidow补充道：“该应用是GaN带来的真正好处的一个很好的例子。我们与Sensitron密切合作，寻找最佳GaN FET，以应对其模块功率密度要求的设计挑战。”
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