恩智浦推出用于MIMO 5G的RF GaN芯片

恩智浦半导体日前宣布推出一系列用于32T32R有源天线系统的全新射频功率分立解决方案，采用其最新的 GaN 技术。这个新系列补充了恩智浦现有的64T64R无线电分立式GaN功率放大器解决方案组合，涵盖了2.3至4.0 GHz的所有蜂窝频段。

恩智浦表示，它现在为大规模多输入、多输出（大规模 MIMO）5G无线电提供最大的RF GaN产品组合。

随着5G网络在全球范围内不断扩展，移动网络运营商正在增加32T32R无线电，以将其大规模MIMO覆盖范围从超密集的城市地区扩展到人口密度较低的城市和郊区。通过组合32根天线而不是64根天线，可以更经济高效地保持覆盖范围，同时保持大规模MIMO带来的高端5G体验。

恩智浦表示，其32T32R解决方案在相同封装中提供两倍于其64T64R解决方案的功率，从而实现更小、更轻的整体5G连接解决方案。这种引脚兼容性使网络运营商能够在频率和功率水平上快速扩展。

“随着5G部署在全球范围内不断扩展，网络运营商需要在保持性能的同时扩大其覆盖范围。通过在相同的封装尺寸中提供两倍的功率，恩智浦使射频工程师能够创建更小、更轻、更容易在城市和郊区部署和隐藏的基站。”恩智浦无线电功率部高功率解决方案副总裁兼总经理Jim Norling说。

新系列的GaN分立解决方案专为10W的天线平均功率而设计，针对 320W无线电单元，具有高达58%的漏极效率。它包括驱动器和末级晶体管，并使用恩智浦在其位于亚利桑那州的新GaN工厂制造的RF GaN技术。

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