英诺赛科推出基于GaN的140W电源

英诺赛科宣布推出一款新的高密度140W电源演示，使用该公司的高低压 GaN HEMT 器件，实现超过 95% 的效率（230VAC；5V/28A）。该电源尺寸为60x60x22mm，功率密度为1.76W/cm³ 。

英诺赛科欧洲总经理兼美国和欧洲市场经理 Denis Marcon 解释说：“通过在本设计中使用 GaN 开关的高电压和低电压功能，我们最大限度地提高了效率，而不是使用有损耗的硅器件来影响效率。这要归功于英诺赛科具有成本效益和大批量的制造工艺和能力。”

140W 300kHz AC/DC适配器使用CRM图腾柱PFC + AHB拓扑结构。它采用英诺赛科的INN650DA140A，650V/140mΩ GaN HEMT，采用5x6mm DF封装，用于开关S1和S2；650V/240mΩ，8x8mm DFN封装的INN650D240A，用于S3；以及 INN650DA240A，5x6mm DFN 650V/240mΩ器件，用于S4。S5和S6由 INN150LA070A提供，这是一款150V/7mΩ、2.2x3.2mm的LGA器件，属于英诺赛科的低压GaN HEM系列。

英诺赛科美国公司总经理兼产品与工程高级副总裁 Yi Sun 补充道：“这种针对USB PD3.1笔记本电脑和电动工具的设计比硅设计效率高出整整 2%；这证明了如果在任何地方都使用 GaN FET，即使是在相对简单的设计中，我们也可以创造不同。”

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