新 EcoGaN 系列的第一个特点是具有突破性的 8V 耐受栅极电压
罗姆(Rohm)宣布推出 150V GaN HEMT,可将栅极耐受电压(额定栅极-源极电压)提高到 8V - 非常适合用于工业设备(如基站和数据中心)以及物联网通信设备的电源电路。
除了大规模生产行业领先的 SiC 器件和功能丰富的硅器件外,罗姆还开发了在中压范围内实现出色高频工作的 GaN 器件,使我们能够为更广泛的应用提供电源解决方案。
这些来自 GNE10xxTB 系列的新产品采用了一种原始结构,将额定栅源电压从传统的 6V 提高到 8V。因此,即使在开关过程中出现超过 6V 的过冲电压,也可以防止性能下降 - 有助于提高电源电路的设计余量和更高的可靠性。 GNE10xxTB 系列采用多功能封装,具有出色的散热和大电流能力,便于安装过程中的处理。
罗姆已将有助于节能和小型化的 GaN 器件注册为 EcoGaN 商标,并正在努力扩大产品线以提高性能。展望未来,罗姆将继续开发利用模拟电源技术的控制 IC,例如纳秒脉冲控制和包含这些 IC 的模块,以及通过最大限度地提高GaN 器件的性能为可持续社会做出贡献的电源解决方案。
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