宜普公司发布最低导通电阻的抗辐射GaN FET

宜普电源转换公司 (EPC) 扩展了其抗辐射GaN产品系列，用于关键的太空和其他环境高可靠性中的电源转换解决方案。据称，其最新的器件导通电阻是目前市场上所有抗辐射晶体管中最低的。

EPC7019 抗辐射eGaN FET是一款 40V、1.5 mΩ、530 A脉冲、抗辐射eGaN FET，尺寸为 13.9 mm²。EPC7019的总剂量等级大于1Mrad，对 LET 的 SEE抗扰度为 85 MeV/(mg/cm² )。这些器件采用芯片级封装，与商用eGaN FET和IC系列相同。宜普太空公司将提供封装版本。

该器件的品质因数 (RDS_(on) x QG) 比其他抗辐射硅解决方案优越20倍，尺寸则小20倍。凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更好的导热性和更低的导通电阻，基于GaN的功率器件显著优于硅基器件，并且能够实现更高的开关频率，从而为关键的太空任务提供更高的功率密度、更高的效率以及更紧凑和更轻的电路。最后，与硅解决方案相比，GaN 器件支持更高的总辐射水平和SEE LET水平。

受益于 EPC7019 的性能和快速部署的应用包括，用于卫星和任务设备的电源以及用于机器人和仪器仪表的电机驱动器。

“宜普公司的 GaN 技术能够在太空中以更高的工作频率、更高的效率和更高的功率密度运行新一代电源转换和电机驱动器，”宜普公司首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 说，“EPC7019 为设计人员提供了一种解决方案，其品质因数比同类最佳的硅基抗辐射器件好 20 倍。这是当今市场上最低导通电阻的抗辐射晶体管。而且，EPC7019 体积更小，成本更低。”

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