II-VI的SiC MOSFET获得了车规认证，扩展了与通用电气的合作关系

II-VI 公司宣布其 1200V SiC MOSFET 平台已符合汽车电子委员会 AEC-Q101 标准，甚至超过了它达到了200°C。它还扩展了与通用电气（GE）的关系，与通用电气研发中心签署为期三年的技术协议 (TAA) ，以获得该中心世界一流的SiC模块技术和专家团队支持，加速基于客户需求的设计研发。

“这项认证资格是一个重要的里程碑，使我们能够开始对我们应用于工业电机和可再生能源市场的器件加强商业活动，同时在电动汽车市场启动长期的设计活动。”新创事业与宽禁带电子技术部执行副总裁Sohail Khan说，“2020年通用电气技术的许可使我们能够提前实现我们的资格认证这一里程碑。技术授权协议将加强我们与通用电气的合作关系，并进一步加快我们的产业化时间，因为我们将继续执行我们之前宣布的增长计划，在未来十年内投资 10 亿美元用于我们的 SiC 平台的产能和创新。”

与通用电气研发中心签订的 TAA 扩展了与通用电气的关系，它是建立在早期协议的基础上，在该协议中，II-VI 获得通用电气的技术授权，制造用于电力电子的 SiC 器件和模块。TAA 将涉及通用电气研发中心的十几名 SiC 器件和系统专家以及测试设施，它们将致力于 II-VI 的 SiC 器件和模块的下一阶段商业化。

“我们很高兴签署这项新协议，这将使 II-VI 能够在汽车、工业和其他领域的功率电子方面把握住数十亿美元的新市场机会。” 通用电气首席技术官 Vic Abate 表示，“在我们与 II-VI 合作扩大其市场基础的同时，我们还将利用 SiC 功率器件和模块的新进展来提升通用电气的 SiC 产品在航空市场的地位，并支持通用电气在能源和医疗保健领域的其他产品，它们将受益于这些功能更强大的功率电子器件。”

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