中国GaN公司英诺赛科走向国际

制造硅基氮化镓电源解决方案的中国公司英诺赛科宣布正式启动其在美国和欧洲的国际业务。英诺赛科总部位于中国苏州，现在准备通过在加州圣克拉拉和比利时鲁汶增加设计和销售支持设施来支持客户。

英诺赛科成立于 2015 年 12 月，总部位于中国苏州，拥有两个晶圆厂，包括一个大型8 英寸 GaN-on-Si 专用工厂。目前，该公司拥有每月1万片8英寸晶圆的产能，今年晚些时候将增加到每月 1.4万片8英寸晶圆，到 2025 年将达到每月7万片8英寸晶圆。该公司拥有从 30V 到650V 的器件组合，并已出货超过 3500 万个器件，应用范围包括 USB PD 充电器/适配器、数据中心、手机和 LED 驱动器。

英诺赛科生产常关型e-mode GaN FET。该公司表示，通过引入应力增强层，它显著降低了 RDS(on)，而不会影响包括阈值电压和漏电在内的其他参数。外延和器件工艺都经过优化，以获得高再现性和良率。器件已通过超过 JEDEC 标准的质量和可靠性测试。

英诺赛科欧洲公司总经理Denis Marcon评论道：“GaN的时机已经成熟，英诺赛科已准备好向全世界供货。我们将在同等器件的价格上超越任何对手，我们巨大的制造能力意味着我们的客户可以对供应放心，鉴于目前芯片短缺，这通常是人们最关心的问题。我们期待与任何公司合作，以在全球电子行业推广 GaN。”

英诺赛科美国公司总经理 Yi Sun 解释说：“对于我们的客户来说，这是一个激动人心的时刻，他们可以从英诺赛科的应用理解和演示板中受益，以开发他们独特的解决方案。这将使我们能够更好地支持我们在美国的客户，尤其是湾区客户”。

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