热烈庆祝中镓半导体成立13周年！

半绝缘氮化镓单晶衬底研发成功

2021年5月，中镓半导体获得了基于碳掺杂的高电阻率半绝缘氮化镓自支撑衬底。该成果得益于中镓半导体独特的自制HVPE系统和高质量低缺陷密度自支撑本征GaN单晶衬底制备工艺，同时着重解决了碳掺杂源的微量精确控制等关键技术。SIMS的测试数据显示，硅和氧的本征浓度均小于1×10¹⁶cm^-3，氢的背底浓度也小于1×10¹⁷cm^-3，碳的掺杂量大约在1~4×10¹⁸cm^-3之间。I-V和霍尔测量的数据显示，室温下中镓半导体获得的半绝缘氮化镓自支撑衬底的电阻率远远大于1×10⁹Ω·cm。

中镓半导体低位错密度(4~7×10⁵ cm^-2)氮化镓自支撑衬底产品量产

2021年12月，中镓半导体量产提供高低位错密度高质量的氮化镓自支撑衬底。阴极萤光扫描电子显微镜实拍的位错密度mapping图像显示，该产品所有测试区域位错密度均在4~7×10⁵ cm^-2范围内。原子力显微镜测试的表面粗糙度mapping证明所有测试区域表面粗糙度(RA)均小于0.2nm（1μm×1μm）。整面衬底的C晶向偏M晶向角度和C偏A镜像角度分别在0.35±0.01°和0.00±0.01°范围内。(0002)晶面和(10-12)晶面摇摆曲线半峰宽均小于30弧秒。