可代工生产的硅光工艺集成III-V激光器

Tower Semiconductor和瞻博网络宣布了世界上第一个硅光子学(SiPho)代工工艺，该工艺集成了III-V族激光器、放大器、调制器和探测器。这种集成的激光工艺解决了数据中心和电信网络中的光连接问题，并可应对人工智能(AI)、激光雷达和其他传感器中的新兴应用。据市场研究公司Yole称，用于数据中心的硅光子收发器市场预计将以40%的复合年增长率快速增长，到2025年将超过50亿美元。

新平台将III-V族激光器、半导体光放大器(SOA)、电吸收调制器(EAM)和光电探测器与硅光子器件共同集成在单个芯片上。这实现了更小、更多通道数和更节能的光学架构和解决方案。可代工性将使大量的产品开发商能够为不同的市场创建高度集成的光子集成电路(PIC)。

工艺设计套件(PDK)预计将在年底推出，首个开放式多项目晶圆(MPW)运行预计将于明年初推出。带有集成激光器的完整400Gb/s和800Gb/s PIC参考设计的首批样品预计将于2022年第二季度推出。

瞻博网络首席执行官Rami Rahim表示：“我们与Tower的共同开发工作非常成功地在大批量制造工厂中验证了这种创新的硅光子技术。通过为整个行业提供这种能力，瞻博网络有可能从根本上降低光学产品的成本，同时降低客户的准入门槛”。

“我们与瞻博网络在硅光子学方面的合作正在为我们整个行业的产品开发带来范式转变，”Tower Semiconductor首席执行官Russell Ellwanger表示，“现在可以将III-V族半导体的优势与大批量硅光子制造相结合。作为独一无二的开放市场、集成激光硅光子学平台，并且比任何潜在的代工竞争者都拥有多年优势，我们正携手为我们行业和整个社会创造具有真正独特价值的突破性产品。”

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