Nitride Semiconductor宣布Micro UV-LED专利

UV-LED行业最早创始公司之一的Nitride Semiconductors宣布于2021年9月8日在英国、德国和法国获得Micro UV-LED高效技术专利授权（专利号：3644379），2021 年 10 月 5 日在美国获得授权（专利号：11,139,342）。

该公司于 2000 年与德岛大学Shiro Sakai合作开发了世界上第一个高效 UV-LED，并在此后投入巨资进行 UV-LED 的开发和改进，而这一直是非常困难的。

Nitride的新专利技术通过将芯片尺寸减小到 50 μm 或更小，主体采用超晶格结构，并使用图形化蓝宝石衬底 (PSS)，提高了波长为 385 至 400 nm 的微型 LED 芯片的发光效率。与其他颜色的LED由于微尺寸导致发光效率下降不同，该专利抑制了效率下降。

未来

Micro UV-LED 可以通过激发红、蓝、绿荧光粉获得全色。在TFT显示板上安装像小麦粉一样小的LED芯片是非常困难和耗时的，这些芯片的尺寸只有20至30微米。通过将红色、蓝色、绿色三种 LED 芯片统一为一种 UV-LED，不仅易于安装，而且易于控制电流和电压。

尽管有人说UV-LED的发光效率低，但这种高效率的技术可能会大大提高Micro LED显示屏的可行性。

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