Integra 推出用于国防的 100V RF GaN/SiC 技术

射频和微波功率解决方案提供商 Integra公司推出了业界首个 100V 射频 GaN/SiC 技术，目标应用范围包括雷达、航空电子、电子战、工业、科学和医疗系统。

该技术在 100V电压下运行，通过在单个 GaN 晶体管中实现 3.6 kW 的输出功率，打破了射频功率性能障碍。与更常见的 50V/65V GaN 技术相比，Integra 的 100V GaN 使设计人员能够显著提高系统功率水平和功能，同时使用更少的功率组合电路简化了系统架构。客户最终受益于更小的系统占用空间和更低的系统成本。

Integra 总裁兼首席执行官 Suja Ramnath 表示：“Integra 的 100V RF GaN 技术标志着大功率市场的一个重要里程碑。这项创新技术消除了当今限制系统性能的障碍，并允许使用以前不可能的新架构。我们很高兴这项颠覆性技术将使我们的客户能够提供新一代高性能、多千瓦射频功率解决方案，同时缩短他们的设计周期和产品成本。”

航空航天和国防雷达系统架构师兼技术主管 Mahesh Kumar 表示：“Integra 率先推出的 100V RF GaN 技术将彻底重新定义高功率 RF 系统的可能性。” 通过在单个封装中提供大约两倍于 50V GaN 晶体管的功率，它将消除大量合路器和相关电子电路，从而降低系统体积、重量和成本，提高系统效率。

Integra 的第一款 100V RF GaN 产品是 IGN1011S3600，专为航空电子应用而设计。IGN1011S3600 提供 3.6 kW 的输出功率，增益为 19dB，效率为 70%。可向合格客户提供样品。

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