集成三相 SiC MOSFET 和驱动电路的液冷或风冷功率模块

CISSOID 最近发布了专为降低开关损耗或提高功率密度而设计的新型液冷或风冷功率模块，扩展了其三相  (SiC) MOSFET 智能功率模块 (IPM) 产品系列。

CISSOID 最近发布了专为降低开关损耗或提高功率密度而设计的新型液冷或风冷功率模块，扩展了其三相  (SiC) MOSFET 智能功率模块 (IPM) 产品系列。CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 先生在接受采访时指出，具有集成三相 SiCMOSFET 器件的新型功率模块是基于用于液冷的轻型针翅基板，或者是基于平坦基板，以满足航空航天领域及专用工业应用中对自然对流或强制风冷的需求。

“在航空航天领域，除了用于机电执行器的传统电机驱动器或用于与飞机电气化相关的机载电力的电源转换器之外，CISSOID还参与了一些领先的项目，这些项目涉及电气制动和高速电机的新概念。在电动汽车应用中，我们的 （SiC） 智能功率模块旨在用于高压动力牵引的逆变器，其中SiC 技术将发挥了重要作用，”Pierre Delatte 解释说。

作为宽禁带半导体， 表现出比硅更大的带隙能量（3.2eV，大约是硅的1.1eV的三倍）。由于需要更多的能量来激发半导体导带中的价电子，因此可以实现更高的击穿电压、更高的效率和更好的高温热稳定性。SiC MOSFET 的主要优点是漏源导通电阻(RDS(ON)) 很低，在相同击穿电压下比硅器件低 300-400倍。因此，基于 SiC 的功率器件能够提供更高的功率水平，最大限度地减少功率损耗，同时提高效率并减少组件所占用的空间。

在航空航天领域，采用 SiC 的主要动机为了减轻重量。由于SiC 的损耗更低、热特性更好，因此冷却要求也相应降低，从而可减轻系统的重量。