《 》 邀您一起探讨： SiC和GaN功率电子技术及产业发展趋势

近年来，以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注，由于SiC和GaN器件具有更高的击穿电压、更高的导热率，在功率电子方面具有显著优势，特别适合于高温、高功率等应用场景。

随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起，为SiC和GaN带来了更广阔的应用增长空间，将大大刺激SiC和GaN器件的销售。IHS Markit 预测，2018年全球SiC的总收入约为5亿美元，到2026年将增至近50亿美元。同样，2019年全球GaN功率器件的销售额将达到约1.5亿美元，在2028年升至18亿美元。

针对SiC和GaN功率电子的快速发展，2020年3月20日上午9 -12点，《 》将举办在线研讨会，邀请行业大咖和明星企业专家，线上探讨GaN、SiC功率半导体技术及产业的最新发展趋势、技术挑战及相应的解决方案，并通过圆桌论坛，与线上参会听众互动，现场解答听众的问题。

本次会议大会主席，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书长，《 》技术顾问陆敏博士，将通过SiC和GaN功率电子技术与产业发展趋势，以及宽禁带半导体前景展望，为听众全面介绍国内外宽禁带半导体的整体形势。

作为业界领先的沉积设备供应商，AIXTRON爱思强的技术解决方案被全世界广泛的客户所使用，以制造先进的电子和光电子应用元件。AIXTRON SE 中国区市场与工艺部门经理方子文博士将以“用于宽禁带半导体材料大规模生产的解决方案”为题目在研讨会上演讲。方子文表示： 凭借其优良的材料特性在各个新兴领域得到了应用。其中最引人注目的SiC和GaN材料，它们已逐步替代传统硅基材料，在功率半导体器件中崭露头角。为了成为功率半导体器件可持续发展的解决方案，这两种新材料器件必须克服性能，可靠性，以及生产成本的难题。

全球测试先锋是德科技公司再次参加 CSC 在线研讨会，是德科技 半导体应用技术工程师，Keysight上海开放实验室主任 查海辉先生的演讲题目是“宽禁带半导体在射频和功率应用中的测试挑战”。查海辉表示：随着5G和电动汽车市场的发展，具有性能优势的宽禁带半导体已经广泛应用于射频和电力电子领域。GaN射频器件的参数测试项目繁多，测试系统复杂，面临许多挑战，需要完整的参数测试方案。GaN和SiC功率器件是大电压，大电流和高效率，既要测量高达上千V和几百A的静态IV参数，同时也需要测试电容，栅极电荷 Qg，开启、关断特性和反向恢复等参数，同样面临许多挑战。

会议议程 

想要了解——

SiC功率半导体技术及产业的最新发展趋势和技术挑战

快来报名参加

3月20日 CSC 在线研讨会

直播地址：https://live.polyv.cn/watch/856218

阅读原文：

//www.kuloubao.com/edm/2020/online0320/csc-net-agenda.html?from=timeline&isappinstalled=0